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岩瀬 彰宏; 佐々木 茂美; 岩田 忠夫; 仁平 猛*
Journal of Nuclear Materials, 141-143, p.786 - 789, 1986/00
被引用回数：13 パーセンタイル：79.15(Materials Science, Multidisciplinary)ニッケルの薄膜試料に各種のイオンを極低温で照射し、電気抵抗変化を測定した。それぞれの場合における抵抗変化の総量は約500n
・cmであり、そこでは欠陥生成の飽和現象が観測された。照射後、アニーリングの測定を300°Kまで行った。損傷断面積及び再結合体積を求め、計算値と比較した。また、いわゆるステージIの回復の総量及び構造を調べた。これらの諸量がPKA(1次はじき出し原子)の平均エネルギーに依存して変化する様子を明らかにした。
